魂斗罗归来破解版安卓:DLI-CVD&DLI-ALD

工藝

DLI-CVD&DLI-ALD

DLI-CVD,DLI-ALD,MOCVD,RTP,RTCVD

安卓魂斗罗归来破解版 www.oerkc.icu 型號

MC-050

MC-100

MC-200

最大襯底直徑

2"

4"

8"

溫度范圍

最高可達1100°C

旋轉加熱基片托,溫度可達 800°C

旋轉加熱基片托,溫度可達 800°C

腔室

不銹鋼熱控腔室

不銹鋼熱控腔室

不銹鋼熱控腔室

基片托

--

垂直運動的基片托

垂直運動的基片托

溫度控制

快速數字PID

快速數字PID

快速數字PID

最多工藝氣體管路(MFC)

8

8

8

最多直接液體噴射霧化器數量

6

4

4

應用

氧化物,金屬,氮化物和合金,III-V,寬帶隙半導體,2D和3D材料……

氧化物,金屬,氮化物和合金,過渡金屬氮化物, ,III-V,寬帶隙半導體,納米管和納米線……

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選項

手套箱接口和手套箱, 遠程等離子體, 臭氧發生器, 鼓泡器,高溫計溫度控制,低真空泵,高真空泵

低真空泵,分子泵,機械化真空裝填裝載,ALD閥

電容等離子體,低真空泵,分子泵,機械化真空裝填裝載,ALD閥

可沉積材料

氧化物: Al2O3, BaO, Bi2O3, Co3O4, Cr2O3, CuCrO2, HfO2,

Li2O, SiO2, TiO2, Y2O3, MovCrwFexBiyOz, …

氮化物: TiN, AlN

金屬: Pt……

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